聯(lián)芯科技:2013年下半年LTE芯片可支持語音功能
聯(lián)芯科技總裁孫玉望以及副總裁劉積堂接受飛象網(wǎng)等媒體采訪時表示,TD-LTE第二階段多模終端/芯片互操作測試已經(jīng)進入尾聲,聯(lián)芯科技的TD-LTE雙模數(shù)據(jù)卡下行速率達到了59M,測試結(jié)果理想,下一步將徹底解決話音問題。
TD-LTE雙模數(shù)據(jù)卡下行速率達到了59M
據(jù)工信部規(guī)劃,正在進行的TD-LTE第二階段規(guī)模試驗的重點是測試多模終端/芯片,以保證在任何地方都保持業(yè)務的連續(xù)性。目前的多模終端都需要支持TD-LTE、GSM和TD-SCDMA,并能夠支持FDD。
作為在業(yè)界首個推出TD-SCDMA和TD-LTE雙模芯片的廠家,聯(lián)芯科技有著更多的規(guī)劃。“我們和三家系統(tǒng)廠商的測試已經(jīng)接近尾聲,測試重點是雙;ゲ僮鞑糠郑瑴y試結(jié)果不好。LTE階段我們首先滿足的是測試要求,以數(shù)據(jù)業(yè)務為主兼顧話音,下一階段將會徹底解決話音問題。”劉積堂表示。
“聯(lián)芯科技的基于LC1760芯片雙模數(shù)據(jù)卡在現(xiàn)網(wǎng)測試下已經(jīng)達到下行速率59M,處于了業(yè)界領先水平。”孫玉望提到。通過這個技術(shù)實驗階段測試,聯(lián)芯科技希望能夠進一步提高芯片性能指標,達到準商用的目標。
明年下半年解決話音問題
此外,聯(lián)芯科技后續(xù)產(chǎn)品也已經(jīng)做好準備。在TD-SCDMA/LTE芯片及終端產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨第四屆聯(lián)芯科技客戶大會上,聯(lián)芯科技發(fā)布了一款可支持到TD-LTE、FDD LTE、TD-SCDMA以及GSM的LC1761四模芯片。“基于這顆芯片的產(chǎn)品要達到商用應該是明年的第二季度。”據(jù)悉,該款芯片主要商用的終端形態(tài)還是數(shù)據(jù)終端,像數(shù)據(jù)卡、MIFI等方面。
目前,聯(lián)芯科技在TD-SCDMA上面的投入更大一些,隨著時間推移,LTE的投入將會不斷加大。
而在LTE工藝方面,聯(lián)芯科技表示肯定會做28納米的芯片。“我們認為數(shù)據(jù)類的終端40納米的芯片是沒有問題的,但是要做智能手機40納米的功耗在工藝上面可能會比較吃力。28納米從技術(shù)上來講是功耗可以做的更低,技術(shù)上面更有保障。”孫玉望認為。劉積堂也表示聯(lián)芯科技下一代LTE芯片將會采用28納米的工藝。
另外,孫玉望表示做手機就必須解決話音問題,而TD-LTE終端如果實現(xiàn)同時支持語音和數(shù)據(jù),并且有相當好的穩(wěn)定性、低功耗、多模操作需要到明年下半年才能實現(xiàn)。
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