鐵電內(nèi)存(F-RAM)供貨商Ramtron International Corporation稍早前展示了一款MaxArias無線內(nèi)存。這種無線內(nèi)存結合了Gen2 RFID無線存取功能與其非揮發(fā)性F-RAM內(nèi)存技術的低功耗、高速度和高耐久性，能讓設計師運用RF兼容高性能應答器(transponder) IC來發(fā)送、擷取和儲存更多的信息，從而擴大其系統(tǒng)的通訊范圍和內(nèi)存容量。

Ramtron表示，MaxArias無線內(nèi)存非常適合高價值資產(chǎn)追蹤、藥物追蹤、制造和維護記錄收集以及智能型能源讀表等應用。

MaxArias無線內(nèi)存的第一批產(chǎn)品包括：WM71004、WM71008和WM71016，其容量分別為256/512/1024 x 16位，這些組件具有幾乎無限的讀/寫次數(shù)(寫入次數(shù)大約為1,014次)，以及二十年的數(shù)據(jù)保存期。就運作范圍、持續(xù)的內(nèi)存存取帶寬及可靠性而言，MaxArias無線內(nèi)存具有完全對稱的讀/寫運作能力，達到Gen-2標準的最大數(shù)據(jù)速率。

Ramtron表示，首款MaxArias無線記憶體系列結合了最高16Kb的高性能非揮發(fā)性F-RAM內(nèi)存和EPCglobal Class-1 Generation-2 UHF無線接口協(xié)議標準，運作頻率為860MHz至960MHz。結合優(yōu)化的天線設計，MaxArias WM710xx產(chǎn)品系列可以使用由射頻場感應出的能量來供電。根據(jù)Gen-2標準，MaxArias芯片可接收和處理經(jīng)由RFID閱讀器傳輸?shù)闹噶睢?/p>

Ramtron的MaxArias無線內(nèi)存具有超越傳統(tǒng)以EEPROM為基礎的RF IC的獨特優(yōu)勢。它具備更高的RF靈敏度，WM710xx能實現(xiàn)零功耗寫入運作，因而在執(zhí)行寫入時不會影響功率或速度。使用低功耗F-RAM的MaxArias無線內(nèi)存具有逾十公尺或更大范圍的對稱無線讀/寫功能;而在寫入速度方面，MaxArias無線內(nèi)存的速度較EEPROM快六倍，能夠實現(xiàn)整個內(nèi)存區(qū)塊的寫入運作，以更快的速度儲存更多的數(shù)據(jù)，免除以EEPROM為基礎的組件的「預備時間」(soak time)限制。

此外，Ramtron的SureWrite特性可確保數(shù)據(jù)完整性，防止在全區(qū)塊寫入期間出現(xiàn)數(shù)據(jù)損壞。由于F-RAM組件完全不受磁場的影響，并具有高伽瑪輻射承受能力，MaxArias無線內(nèi)存是需暴露于磁場或輻射干擾之應用的理想選擇。

WM710xx MaxArias無線內(nèi)存能在整個工業(yè)溫度范圍(-40℃至+85℃)運作，并備有幾種配置，包括標準RoHS兼容的6腳UDFN封裝、凸塊芯片、裸片，或經(jīng)全面測試且符合ISO-18000-6C標準的電子卷標。